Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FCB20N60F-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2035pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 405W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.016
FCB20N60FTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile18.468
FCB20N60TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile16.782
FCB260N65S3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.646
FCB290N80 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3205pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 212W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.172
FCB36N60NTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4785pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 312W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile16.896
FCD1300N80Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 4A TO252 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile23.136
FCD2250N80Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 39W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.138
FCD260N65S3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 260MOHM TO252 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.724
FCD3400N80Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 2A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.272
FCD360N65S3R0 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.740
FCD380N60E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 106W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile26.772
FCD4N60TF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.628
FCD4N60TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile24.978
FCD4N60TM_WS ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.688
FCD5N60-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 54W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.194
FCD5N60TF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 54W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.572
FCD5N60TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 54W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile22.896
FCD5N60TM-WS ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 54W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile38.118
FCD600N60Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.860
FCD600N65S3R0 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V DPAK PKG Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 54W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.284
FCD620N60ZF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: HiPerFET™, Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile19.974
FCD7N60TF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.232
FCD7N60TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile52.734
FCD7N60TM-WS ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.202
FCD850N80Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 6A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1315pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.192
FCD900N60Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile24.348
FCD9N60NTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 92.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile18.678
FCH023N65S3-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 75A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7160pF @ 400V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.092
FCH023N65S3L4 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 75A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7160pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile8.010

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