FCD360N65S3R0
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| Numero parte | FCD360N65S3R0 |
| PNEDA Part # | FCD360N65S3R0 |
| Descrizione | SUPERFET3 650V DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.740 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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FCD360N65S3R0 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FCD360N65S3R0 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FCD360N65S3R0, FCD360N65S3R0 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 422,23 KB)
  
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FCD360N65S3R0 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | SuperFET® III |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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