Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
EPC2029 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile33.138
EPC2030 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET NCH 40V 31A DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile76.464
EPC2030ENGRT EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET NCH 40V 31A DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile26.238
EPC2031 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET NCH 60V 31A DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile23.736
EPC2031ENGRT EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET NCH 60V 31A DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile28.920
EPC2032 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile2.448
EPC2033 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile32.334
EPC2034 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 140°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile4.770
EPC2034C EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS GAN 200V 8MOHM DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile27.228
EPC2035 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile49.314
EPC2036 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile3.286.026
EPC2037 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GAN TRANS 100V 550MOHM BUMPED DI Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile614.934
EPC2038 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GAN TRANS 100V 2.8OHM BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile1.148.130
EPC2039 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 80V BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile4.786
EPC2040 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET NCH 15V 3.4A DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 15V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93nC @ 5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 105pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile676.590
EPC2045 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 100V BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 685pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile330.630
EPC2045ENGRT EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 100V BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 685pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile4.392
EPC2049ENGRT EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 40V BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile14.964
EPC2051 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile42.354
EPC2051ENGRT EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile6.138
EPC2052 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS GAN 100V DIE 16MOHM Produttore: EPC Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile54.072
EPC2053 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANS GAN 100V DIE 4MOHM Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1895pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile18.876
EPC2202 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 80V 18A DIE Produttore: EPC Serie: Automotive, AEC-Q101, eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (massimo): +5.75V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Outline (6-Solder Bar) Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile373.800
EPC2203 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR Produttore: EPC Serie: Automotive, AEC-Q101, eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83nC @ 5V Vgs (massimo): +5.75V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile56.460
EPC2206 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 80V 90A DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile48.888
EPC2212 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 407pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile26.022
EPC2214 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo AEC-Q101 GAN FET 80V 20 MOHM Produttore: EPC Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile56.268
EPC8002 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 65V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 32.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile521.712
EPC8004 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 40V 2.7A BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile4.572
EPC8009 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE Produttore: EPC Serie: eGaN® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 65V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 5V Vgs (massimo): +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 32.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile3.960

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