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EPC2053

EPC2053

Solo per riferimento

Numero parte EPC2053
PNEDA Part # EPC2053
Descrizione TRANS GAN 100V DIE 4MOHM
Produttore EPC
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.876
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EPC2053 Risorse

Brand EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEPC2053
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
EPC2053, EPC2053 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 961,12 KB)
PDFEPC2053 Datasheet Copertura
EPC2053 Datasheet Pagina 2 EPC2053 Datasheet Pagina 3 EPC2053 Datasheet Pagina 4 EPC2053 Datasheet Pagina 5 EPC2053 Datasheet Pagina 6

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EPC2053 Specifiche

ProduttoreEPC
SerieeGaN®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C48A
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.8nC @ 5V
Vgs (massimo)+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1895pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDie
Pacchetto / CustodiaDie

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DMN2050LQ-7

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

DMN10H099SFG-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1172pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

980mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IRFH5206TR2PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta), 89A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2490pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.6W (Ta), 100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

SI7404DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 13.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

540mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto / Custodia

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