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Numero parte	Descrizione	Disponibile
AT-64000-GP4 Broadcom	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP Produttore: Broadcom Limited Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 3W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.092
AT-64020 Broadcom	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 200SMD Produttore: Broadcom Limited Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 3W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-SMD (200 mil BeO) Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.214
AT-64023 Broadcom	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0 Produttore: Broadcom Limited Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 3W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-SMD (230 mil BeO) Pacchetto dispositivo fornitore: 230 mil Be0	Disponibile7.416
BF199 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 25V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.060
BF199_D74Z ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 25V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.258
BF199_J35Z ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 25V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.380
BF240 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.243
BF240,112 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 150MHZ TO92-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Frequenza - Transizione: 150MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 300mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 25mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.652
BF240_D74Z ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.592
BF240_J35Z ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.400
BF240_ND74Z ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.694
BF494 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.266
BF494_D27Z ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.160
BF494_D74Z ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.106
BF 770A E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 6GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 9.5dB ~ 14.5dB Potenza - Max: 300mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 90mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile5.328
BF771E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 10dB ~ 15dB Potenza - Max: 580mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile5.724
BF 775 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno: 10.5dB ~ 16dB Potenza - Max: 280mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile3.294
BF776E6327FTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 4.7V Frequenza - Transizione: 46GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Guadagno: 24dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-82A, SOT-343 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT343-4	Disponibile7.992
BF776H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 4.7V Frequenza - Transizione: 46GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Guadagno: 24dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-82A, SOT-343 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT343-4	Disponibile24.888
BF799E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 800MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 280mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile8.964
BF799WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 800MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 280mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile2.538
BF799WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 800MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz Guadagno: - Potenza - Max: 280mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile3.348
BF959 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Guadagno: - Potenza - Max: 625mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.650
BF959G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Guadagno: - Potenza - Max: 625mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.896
BF959RL1 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Guadagno: - Potenza - Max: 625mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.544
BF959RL1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Guadagno: - Potenza - Max: 625mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.124
BF959ZL1 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Guadagno: - Potenza - Max: 625mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.434
BF959ZL1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Guadagno: - Potenza - Max: 625mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.650
BFG10,215 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 8V Frequenza - Transizione: 1.9GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 250mA Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-143B	Disponibile7.434
BFG10W/X,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 1.9GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 250mA Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-343 Reverse Pinning Pacchetto dispositivo fornitore: 4-SO	Disponibile4.788

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