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BF776E6327FTSA1

BF776E6327FTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BF776E6327FTSA1
PNEDA Part # BF776E6327FTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.992
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BF776E6327FTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBF776E6327FTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BF776E6327FTSA1, BF776E6327FTSA1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 504,44 KB)
PDFBF776E6327FTSA1 Datasheet Copertura
BF776E6327FTSA1 Datasheet Pagina 2 BF776E6327FTSA1 Datasheet Pagina 3 BF776E6327FTSA1 Datasheet Pagina 4 BF776E6327FTSA1 Datasheet Pagina 5 BF776E6327FTSA1 Datasheet Pagina 6

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BF776E6327FTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)4.7V
Frequenza - Transizione46GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Guadagno24dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 30mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT343-4

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.5GHz

Guadagno

10dB @ 1.5GHz

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

0.95 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MCP

BFR 182T E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SC-75

MS1076C

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

270mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

JTDB25

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.5dB

Potenza - Max

97W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW-1

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