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BF240_J35Z

BF240_J35Z

Solo per riferimento

Numero parte BF240_J35Z
PNEDA Part # BF240_J35Z
Descrizione RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.400
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BF240_J35Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBF240_J35Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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BF240_J35Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)40V
Frequenza - Transizione1.1GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max350mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce65 @ 1mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

KSC3123OMTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

Guadagno

20dB ~ 23dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

KSC1393YBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Guadagno

20dB ~ 24dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 2mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

76016S

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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