Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BSH103,235 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 850mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile97.050
BSH105,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.05A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 152pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile160.830
BSH105,235 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.05A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 152pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile74.532
BSH108,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830mW (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile69.222
BSH111,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 335mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 8V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830mW (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.514
BSH111,235 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 335mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 8V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830mW (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.668
BSH111BKR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V SOT-23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 210mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 302mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile852.588
BSH112,235 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830mW (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.250
BSH114,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta), 830mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile140.436
BSH121,135 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile6.732
BSH201,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 48V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile377.202
BSH202,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 520mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile119.232
BSH203,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 470mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile627.384
BSH205,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 9.6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.958
BSH205G2R Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 418pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile230.826
BSH205G2VL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 418pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.740
BSH207,135 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.52A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 9.6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile3.240
BSL202SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1147pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile8.352
BSL202SNL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1147pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.380
BSL207SP Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile40.472
BSL207SPH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile24.678
BSL207SPL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile3.114
BSL211SP Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.078
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile233.310
BSL211SPL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile4.392
BSL211SPT Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile5.868
BSL296SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1.26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile6.804
BSL302SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile4.014
BSL302SNL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile5.292
BSL303SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1401pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile3.400

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