Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BSL305SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 939pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile3.400
BSL307SP Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile8.712
BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-1 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.416
BSL307SPL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile4.428
BSL307SPT Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile6.480
BSL372SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 329pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile8.136
BSL373SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 218µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile3.906
BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 657pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile22.530
BSL716SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.848
BSL802SNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.75V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1347pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile3.276
BSL802SNL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1347pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSOP-6-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.884
BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 204A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): +22V, -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1360W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Module Pacchetto / Custodia: Module	Disponibile3.978
BSM400C12P3G202 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BSM400C12P3G202 IS A CHOPPER MOD Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): +22V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1570W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Module Pacchetto / Custodia: Module	Disponibile4.500
BSM600C12P3G201 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): +22V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2460W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Module Pacchetto / Custodia: Module	Disponibile6.804
BSN20,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 173mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830mW (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.712
BSN20,235 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 173mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830mW (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.734
BSN20-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile774.828
BSN20BKR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 265mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.094.214
BSN20Q-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta), 920mW (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile26.772
BSN254,126 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile8.748
BSN254A,126 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile8.784
BSN304,126 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile4.356
BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8 Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile48.228
BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8 Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.582
BSO051N03MS G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8 Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.790
BSO052N03S Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5530pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8 Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.686
BSO064N03S Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3620pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8 Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.874
BSO065N03MSGXUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8 Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.678
BSO072N03S Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3230pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8 Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.304
BSO080P03NS3EGXUMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6750pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-DSO-8 Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.932

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