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BSL207SPH6327XTSA1

BSL207SPH6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSL207SPH6327XTSA1
PNEDA Part # BSL207SPH6327XTSA1
Descrizione MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.678
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSL207SPH6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSL207SPH6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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BSL207SPH6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1007pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSOP-6-6
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

I prodotti a cui potresti essere interessato

FDS6162N7

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 23A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5521pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMP1080UCB4-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

820mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-WLB1010-4

Pacchetto / Custodia

4-UFBGA, WLBGA

IXTM35N30

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-204AE

Pacchetto / Custodia

TO-204AE

IRFIB5N65APBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

930mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1417pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

60W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

EPC2012C

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 5V

Vgs (massimo)

+6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Die Outline (4-Solder Bar)

Pacchetto / Custodia

Die

Venduto di recente

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

ADG1404YRUZ

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Analog Devices

IC MULTIPLEXER 4X1 14TSSOP

LNBH25LSPQR

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STMicroelectronics

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MSP5.0A-M3/89A

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 10.9V MICROSMP

MMSD4148T1G

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ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

ICM7555IPA

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Maxim Integrated

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CM1213-08MR

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TVS DIODE 3.3V 8.8V 10MSOP

MBR140SFT1G

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DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

DM74LS14M

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ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

D5V0L4B5SO-7

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TVS DIODE 5V 14V SOT353

SRN8040-R50Y

SRN8040-R50Y

Bourns

FIXED IND 500NH 10A 7 MOHM SMD

FPF3042UCX

FPF3042UCX

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IC OR CTRLR SRC SELECT 16WLCSP