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Circuiti integrati di memoria

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Descrizione
Disponibile
Quantità
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile2.538
MT29F512G08AUEBBH8-12:B
MT29F512G08AUEBBH8-12:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-LBGA (14x18)
Disponibile4.266
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-LBGA (14x18)
Disponibile6.606
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TLGA (14x18)
Disponibile4.536
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
MT29F512G08CECBBJ4-37:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 132-VBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)
Disponibile5.940
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 132-VBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)
Disponibile6.084
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 132-VBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)
Disponibile2.034
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 132-VBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)
Disponibile3.276
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 200MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 132-VBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)
Disponibile7.380
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)
Disponibile1.924
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)
Disponibile6.912
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 132-VBGA (12x18)
Disponibile2.556
MT29F512G08CFCBBWP-10:B
MT29F512G08CFCBBWP-10:B

Micron Technology Inc.

Memoria

MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile8.046
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile3.546
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile2.340
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B

Micron Technology Inc.

Memoria

MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile8.658
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile2.466
MT29F512G08CKCABH7-6:A
MT29F512G08CKCABH7-6:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile3.150
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile2.646
MT29F512G08CKCABH7-6R:A
MT29F512G08CKCABH7-6R:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile8.406
MT29F512G08CKCABK7-6:A
MT29F512G08CKCABK7-6:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile7.074
MT29F512G08CKCABK7-6:A TR
MT29F512G08CKCABK7-6:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile7.092
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA (14x18)
Disponibile3.168
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA (14x18)
Disponibile4.950
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA (14x18)
Disponibile6.678
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA (14x18)
Disponibile8.676
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA (14x18)
Disponibile3.078
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA (14x18)
Disponibile4.590
MT29F512G08CKECBH7-12:C
MT29F512G08CKECBH7-12:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA (14x18)
Disponibile4.698
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 83MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-TBGA (14x18)
Disponibile3.960