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Disponibile
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MT29F4G16ABADAWP-AIT:D
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile6.516
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile8.964
MT29F4G16ABADAWP:D
MT29F4G16ABADAWP:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile1
MT29F4G16ABADAWP:D TR
MT29F4G16ABADAWP:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile5.544
MT29F4G16ABADAWP-IT:D
MT29F4G16ABADAWP-IT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile2.219
MT29F4G16ABADAWP-IT:D TR
MT29F4G16ABADAWP-IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile206
MT29F4G16ABAEAH4:E
MT29F4G16ABAEAH4:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile8.874
MT29F4G16ABAEAH4:E TR
MT29F4G16ABAEAH4:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile3.654
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile7.452
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile7.758
MT29F4G16ABAEAWP:E
MT29F4G16ABAEAWP:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP
Disponibile4.374
MT29F4G16ABAEAWP:E TR
MT29F4G16ABAEAWP:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP
Disponibile6.354
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP
Disponibile8.028
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP
Disponibile6.066
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile5.040
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile5.598
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile7.596
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile8.280
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH SLC 4G 256MX16 FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile7.362
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F TR
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH SLC 4G 256MX16 FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile5.904
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile4.338
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile3.492
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile251
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile6.678
MT29F4G16ABBDAH4:D
MT29F4G16ABBDAH4:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile3.078
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
MT29F4G16ABBDAH4:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile3.618
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile7.073
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile3.312
MT29F4G16ABBDAHC:D
MT29F4G16ABBDAHC:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA
Disponibile5.850
MT29F4G16ABBDAHC:D TR
MT29F4G16ABBDAHC:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA
Disponibile2.880