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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
Quantità
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA
Disponibile849
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA
Disponibile6.642
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile5.418
MT29F4G16ABBEAH4:E
MT29F4G16ABBEAH4:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile2.862
MT29F4G16ABBEAH4:E TR
MT29F4G16ABBEAH4:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile5.418
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile5.166
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile8.586
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile4.644
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA (9x11)
Disponibile6.336
MT29F4G16ABBFAM70A3WC1
MT29F4G16ABBFAM70A3WC1

Micron Technology Inc.

Memoria

SLC 4G DIE 256MX16

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile5.868
MT29F4G16ABCHC:C TR
MT29F4G16ABCHC:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA
Disponibile8.514
MT29F4G16ABCHC-ET:C TR
MT29F4G16ABCHC-ET:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-VFBGA
Disponibile6.228
MT29F4G16ABCWC:C
MT29F4G16ABCWC:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TSOP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP
Disponibile8.604
MT29F4G16ABCWC:C TR
MT29F4G16ABCWC:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TSOP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP
Disponibile5.778
MT29F4G16BABWP TR
MT29F4G16BABWP TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile6.282
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile8.550
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile8.190
MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR
MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile5.832
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile597
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile2.574
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile7.056
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile2.844
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile3.222
MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR
MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile3.762
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile7.488
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile7.020
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Tb (512G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile4.122
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-LBGA (14x18)
Disponibile3.348
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-LBGA (14x18)
Disponibile4.374
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 152-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 152-LBGA (14x18)
Disponibile8.100