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AO4914L

AO4914L

Solo per riferimento

Numero parte AO4914L
PNEDA Part # AO4914L
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.130
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4914L Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4914L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4914L, AO4914L Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 650,32 KB)
PDFAO4914L Datasheet Copertura
AO4914L Datasheet Pagina 2 AO4914L Datasheet Pagina 3 AO4914L Datasheet Pagina 4 AO4914L Datasheet Pagina 5 AO4914L Datasheet Pagina 6 AO4914L Datasheet Pagina 7 AO4914L Datasheet Pagina 8 AO4914L Datasheet Pagina 9

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AO4914L Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds865pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

10mV @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

BSZ0910NDXTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W (Ta), 31W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-WISON-8

DMN3012LDG-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

Potenza - Max

2.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8 (Type D)

DMP2004DWK-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V

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185pF @ 10V

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