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ALD212900APAL

ALD212900APAL

Solo per riferimento

Numero parte ALD212900APAL
PNEDA Part # ALD212900APAL
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD212900APAL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD212900APAL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD212900APAL, ALD212900APAL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 515,01 KB)
PDFALD212900ASAL Datasheet Copertura
ALD212900ASAL Datasheet Pagina 2 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 3 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 4 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 5 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 6 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 7 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 8 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 9 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 10 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 11

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  • ALD212900APAL Distributor

ALD212900APAL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id10mV @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 5V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1525pF @ 30V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 10V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1233pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.6A, 10V

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