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SI3951DV-T1-E3

SI3951DV-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI3951DV-T1-E3
PNEDA Part # SI3951DV-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.106
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI3951DV-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI3951DV-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI3951DV-T1-E3, SI3951DV-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 117,78 KB)
PDFSI3951DV-T1-E3 Datasheet Copertura
SI3951DV-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI3951DV-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI3951DV-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI3951DV-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI3951DV-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI3951DV-T1-E3 Datasheet Pagina 7

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SI3951DV-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Potenza - Max

1.04W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

APTC60HM70T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6250pF @ 25V

Potenza - Max

320W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SMD Module, 9 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SMPD

IRF7379QTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

631pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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