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DMP2004DWK-7

DMP2004DWK-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP2004DWK-7
PNEDA Part # DMP2004DWK-7
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.398
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP2004DWK-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP2004DWK-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMP2004DWK-7, DMP2004DWK-7 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 226,99 KB)
PDFDMP2004DWK-7 Datasheet Copertura
DMP2004DWK-7 Datasheet Pagina 2 DMP2004DWK-7 Datasheet Pagina 3 DMP2004DWK-7 Datasheet Pagina 4 DMP2004DWK-7 Datasheet Pagina 5

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DMP2004DWK-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds175pF @ 16V
Potenza - Max250mW
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA, 120mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

DMN5L06VA-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

PHC2300,118

Nexperia

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

340mA, 235mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

102pF @ 50V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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