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Vishay Siliconix Transistor - FET, MOSFET - Singolo

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Singolo
ProduttoreVishay Siliconix
Record 3.936
Pagina 132/132
Immagine
Numero parte
Produttore
Descrizione
Disponibile
Quantità
Serie
Tipo FET
Tecnologia
Tensione Drain to Source (Vdss)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (massimo)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
Funzione FET
Dissipazione di potenza (max)
Temperatura di esercizio
Tipo di montaggio
Pacchetto dispositivo fornitore
Pacchetto / Custodia
SIHB22N60S-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V TO263
4.878
S
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600V
22A (Tc)
10V
190mOhm @ 11A, 10V
4V @ 250µA
110nC @ 10V
±30V
2.81nF @ 25V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
D²PAK (TO-263)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SIA430DJ-T4-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V SC-70-6
2.556
TrenchFET®
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
20V
12A (Ta), 12A (Tc)
4.5V, 10V
13.5mOhm @ 7A, 10V
3V @ 250µA
18nC @ 10V
±20V
800pF @ 10V
-
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SC-70-6 Single
PowerPAK® SC-70-6
SIA444DJT-T4-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V SMD
6.552
TrenchFET®
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30V
11A (Ta), 12A (Tc)
4.5V, 10V
17mOhm @ 7.4A, 10V
2.2V @ 250µA
15nC @ 10V
±20V
560pF @ 15V
-
3.5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SC-70-6 Single
PowerPAK® SC-70-6
SIA462DJ-T4-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V SMD
6.894
TrenchFET®
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30V
12A (Ta), 12A (Tc)
4.5V, 10V
18mOhm @ 9A, 10V
2.4V @ 250µA
17nC @ 10V
±20V
570pF @ 15V
-
3.5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SC-70-6 Single
PowerPAK® SC-70-6
SUC85N15-19DWF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH
3.726
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IRFC430
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V TO PKG
3.544
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