Texas Instruments Transistor - FET, MOSFET - Array

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Array

Produttore

Record 63

Pagina 3/3

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo FET	Funzione FET	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Potenza - Max	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
CSD75204W15	Texas Instruments	MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA	8.010	NexFET™	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	-	3A	-	900mV @ 250µA	3.9nC @ 4.5V	410pF @ 10V	700mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	9-UFBGA, DSBGA	9-DSBGA
CSD75205W1015	Texas Instruments	MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA	4.068	NexFET™	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	1.2A	120mOhm @ 1A, 4.5V	850mV @ 250µA	2.2nC @ 4.5V	265pF @ 10V	750mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	6-UFBGA, DSBGA	6-DSBGA (1x1.5)
CSD75211W1723	Texas Instruments	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA	8.028	NexFET™	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	4.5A	40mOhm @ 2A, 4.5V	1.1V @ 250µA	5.9nC @ 4.5V	600pF @ 10V	1.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	12-UFBGA, DSBGA	12-DSBGA

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