Transistor - FET, MOSFET - Singolo

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Singolo

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Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo FET	Tecnologia	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto dispositivo fornitore	Pacchetto / Custodia
DMJ70H1D0SV3	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251	7.074	-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	700V	6A (Tc)	10V	1Ohm @ 1.5A, 10V	4V @ 250µA	12.8nC @ 10V	±30V	420pF @ 50V	-	104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251	TO-251-3 Stub Leads, IPak
DMJ70H1D4SV3	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251	2.934	-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	700V	5A (Tc)	10V	1.5Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	7.5nC @ 10V	±30V	342pF @ 50V	-	78W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251	TO-251-3 Stub Leads, IPak
DMJ70H1D5SV3	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251	2.844	-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	700V	5A (Tc)	10V	1.5Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	9.8nC @ 10V	±30V	316pF @ 50V	-	78W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251	TO-251-3 Stub Leads, IPak
DMJ70H601SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252	7.020	-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	700V	8A (Tc)	10V	600mOhm @ 2.1A, 10V	4V @ 250µA	20.9nC @ 10V	±30V	686pF @ 50V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252, (D-Pak)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMJ70H601SV3	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251	3.168	-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	700V	8A (Tc)	10V	600mOhm @ 2.1A, 10V	4V @ 250µA	20.9nC @ 10V	±30V	686pF @ 50V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251	TO-251-3 Stub Leads, IPak
AON7418A	Alpha & Omega Semiconductor	MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN	6.678	-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	50A (Tc)	4.5V, 10V	1.7mOhm @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	65nC @ 10V	±20V	2994pF @ 15V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-DFN-EP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
IPI120N04S4-01M	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO262-3	7.290	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPI80N07S405AKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO262-3	5.886	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPS70N10S3L-12	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 1TO251-3	8.586	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AUXHMF1404ZSTRL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-3	6.318	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BSP615S2LHUMA1	Infineon Technologies	MOSFET SOT223-4	8.244	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPB80N07S405ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-3	3.690	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ITD50N04S4L04ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO252-5	4.698	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IXRFSM12N100	IXYS-RF	2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE	3.438	SMPD	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	1000V	12A (Tc)	15V	1.05Ohm @ 6A, 15V	5.5V @ 250µA	77nC @ 10V	±20V	2875pF @ 800V	-	940W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	16-SMPD	16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
IXRFSM18N50	IXYS-RF	18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE	6.120	SMPD	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500V	19A (Tc)	20V	340mOhm @ 9.5A, 20V	6.5V @ 250µA	42nC @ 10V	±20V	2250pF @ 400V	-	835W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	16-SMPD	16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
IPA60R125C6E8191XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO220-3	7.416	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPA65R310DEXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO220	6.606	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R041C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	6.156	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	4.410	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R099C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	2.394	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	7.200	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	7.596	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	7.344	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R190E6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	6.354	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R190P6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	6.930	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	4.806	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R280E6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	7.650	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R380C6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	8.442	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH BARE DIE	3.654	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPC60R380E6X7SA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH	3.924	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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