Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
AOB440 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4560pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.808
AOB442 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 21A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 105A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.514
AOB462L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.544
AOB470L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 10A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5640pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 268W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.750
AOB480L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 180A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7820pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.9W (Ta), 333W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.984
AOB480L_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V TO-263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D2Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.994
AOB482L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 105A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4870pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.166
AOB4S60L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 263pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.740
AOB66616L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 60V N-CHANNEL ALPHASGT TM Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38.5A (Ta), 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 8.3W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D2Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.292
AOB66916L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 100V N-CHANNEL ALPHASGT TM Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35.5A (Ta), 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 8.3W (Ta), 277W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D2Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile17.412
AOB66920L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 100V N-CHANNEL ALPHASGT TM Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22.5A (Ta), 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 8.3W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D2Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.184
AOB7S60L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 372pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.542
AOB7S65L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 7A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 434pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.704
AOB9N70L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 700V 9A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 236W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.174
AOC2401 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1327pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (1.57x1.57) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile3.562
AOC2403 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.8A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 450mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (0.97x0.97) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile6.750
AOC2411 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-WLCSP (1.6x1.6) Pacchetto / Custodia: 4-UFBGA, WLCSP	Disponibile6.588
AOC2412 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.5A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1842pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (1.57x1.57) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile4.554
AOC2413 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 3.5A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1.5A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1935pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (1.57x1.57) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile8.910
AOC2414 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 1.5A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2042pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (1.57x1.57) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile5.904
AOC2415 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1685pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (1.57x1.57) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile8.478
AOC2417 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1355pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (1.57x1.57) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile8.190
AOC2421 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 2.5A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 1.5A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (0.97x0.97) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile7.290
AOC2422 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (0.97x0.97) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile5.958
AOC2423 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-AlphaDFN (0.97x0.97) Pacchetto / Custodia: 4-SMD, No Lead	Disponibile7.974
AOD11S60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 11A TO252 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile364.740
AOD1N60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile1.034.448
AOD1R4A70 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 700V, A MOSTM N-CHANNEL POWER TR Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 354pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (DPAK) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.844
AOD200 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A TO252 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.684
AOD206_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 18A TO252 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaMOS Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1333pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.696

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