Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
AOB262L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9800pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.274
AOB264L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 19A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.258
AOB266L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 18A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 268W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.948
AOB270AL Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 21.5A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21.5A (Ta), 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10830pF @ 37.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.732
AOB270L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 140A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21.5A (Ta), 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10350pF @ 37.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.120
AOB27S60L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 27A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1294pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile13.836
AOB280L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 20.5A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.5A (Ta), 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11135pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.092
AOB282L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 18.5A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), 105A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7765pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.562
AOB284L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 16A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 105A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5154pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.128
AOB286L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 13A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3142pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.726
AOB288L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 80V 10.5A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1871pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 93.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.578
AOB2904 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 120A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.438
AOB2906 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V TO-263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D2Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.046
AOB290L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 18A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9550pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile90.936
AOB2910L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 100V 6A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.064
AOB2918L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 13A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3430pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 267W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.446
AOB292L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 105A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 105A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6775pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.588
AOB296L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 100V 9.5A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2785pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.480
AOB298L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.786
AOB29S50L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 29A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1312pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile20.808
AOB409L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 5A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 31.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2953pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 83.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.532
AOB411L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 8A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 78A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 187W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.112
AOB411L_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 8A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 78A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 187W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.254
AOB412L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Ta), 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.380
AOB414 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.574
AOB414_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.760
AOB416 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.490
AOB4184 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 12A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.520
AOB418L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 105A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 333W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.442
AOB42S60L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 37A TO263 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2154pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.420

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