Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile7.812
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile3.690
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.444
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile6.300
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile7.542
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile5.868
RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile8.478
RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile27.612
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile8.442
RN2969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile5.256
RN2969(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile23.262
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile4.572
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile5.814
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile23.550
RN4601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile5.328
RN4602TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile3.598
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz, 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile8.658
RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile2.898
RN4605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile6.462
RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz, 250MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile4.860
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile27.060
RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile7.902
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile8.208
RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile24.666
RN4611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile26.688
RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.200
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz, 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile7.146
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz, 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile2.376
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz, 250MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile3.762
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz, 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile29.352

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