Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile6.894
RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile2.826
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.876
RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.768
RN2905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile5.292
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile5.976
RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.470
RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile6.318
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile24.924
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.516
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile29.130
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.538
RN2907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile8.586
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile29.316
RN2908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.860
RN2908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile8.226
RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile33.522
RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.374
RN2909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile7.524
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile31.836
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF. Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.356
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.102
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile8.604
RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile23.004
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile7.362
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile5.886
RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile5.112
RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 1kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile4.644
RN2962(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 1kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile2.664
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile5.994

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