Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NVMFD5875NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile6.660
NVMFD5875NLWFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile5.832
NVMFD5877NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile68.442
NVMFD5877NLT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile4.536
NVMFD5877NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile6.084
NVMFD5877NLWFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile2.646
NVMFD5C446NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Potenza - Max: 3.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile15.174
NVMFD5C446NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Potenza - Max: 3.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile3.798
NVMFD5C446NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile8.298
NVMFD5C446NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile7.290
NVMFD5C462NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Potenza - Max: 3W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile34.230
NVMFD5C462NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Potenza - Max: 3W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile16.686
NVMFD5C462NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.6A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Potenza - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile7.128
NVMFD5C462NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.316
NVMFD5C466NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V Potenza - Max: 3W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile2.376
NVMFD5C466NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V Potenza - Max: 3W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile16.194
NVMFD5C466NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Potenza - Max: 3W (Ta), 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile3.654
NVMFD5C466NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Potenza - Max: 3W (Ta), 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile5.508
NVMFD5C470NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V Potenza - Max: 3W (Ta), 24W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile7.128
NVMFD5C470NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V Potenza - Max: 3W (Ta), 24W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile7.722
NVMFD5C470NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.7A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Potenza - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile3.598
NVMFD5C470NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.7A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Potenza - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile3.726
NVMFD5C478NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Potenza - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile5.706
NVMFD5C478NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Potenza - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile3.294
NVMFD5C478NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.8A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V Potenza - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile14.148
NVMFD5C478NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.8A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V Potenza - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile5.922
NVMFD5C650NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V Potenza - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile2.088
NVMFD5C650NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V Potenza - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile6.624
NVMFD5C668NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array T6 60V S08FL DUAL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.5A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V Potenza - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)	Disponibile4.320
NVMFD5C668NLWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array T6 60V S08FL DUAL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.118

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