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NVMFD5C470NLT1G

NVMFD5C470NLT1G

Solo per riferimento

Numero parte NVMFD5C470NLT1G
PNEDA Part # NVMFD5C470NLT1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.128
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NVMFD5C470NLT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVMFD5C470NLT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NVMFD5C470NLT1G, NVMFD5C470NLT1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 138,08 KB)
PDFNVMFD5C470NLWFT1G Datasheet Copertura
NVMFD5C470NLWFT1G Datasheet Pagina 2 NVMFD5C470NLWFT1G Datasheet Pagina 3 NVMFD5C470NLWFT1G Datasheet Pagina 4 NVMFD5C470NLWFT1G Datasheet Pagina 5 NVMFD5C470NLWFT1G Datasheet Pagina 6

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NVMFD5C470NLT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 25V
Potenza - Max3W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

PMGD290XN,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

860mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

34pF @ 20V

Potenza - Max

410mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

APTM120TA57FPG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

ALD310702PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

4 P-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

180mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1984pF @ 6V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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