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PMGD290XN,115

PMGD290XN,115

Solo per riferimento

Numero parte PMGD290XN,115
PNEDA Part # PMGD290XN-115
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.393.986
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMGD290XN Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMGD290XN,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMGD290XN, PMGD290XN Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 209,88 KB)
PDFPMGD290XN Datasheet Copertura
PMGD290XN Datasheet Pagina 2 PMGD290XN Datasheet Pagina 3 PMGD290XN Datasheet Pagina 4 PMGD290XN Datasheet Pagina 5 PMGD290XN Datasheet Pagina 6 PMGD290XN Datasheet Pagina 7 PMGD290XN Datasheet Pagina 8 PMGD290XN Datasheet Pagina 9 PMGD290XN Datasheet Pagina 10 PMGD290XN Datasheet Pagina 11

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PMGD290XN Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C860mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.72nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds34pF @ 20V
Potenza - Max410mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

632pF @ 50V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Vishay Siliconix

Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1140pF @ 25V

Potenza - Max

3.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI7911DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

450A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 450A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 132mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1330nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

38000pF @ 800V

Potenza - Max

50mW

Temperatura di esercizio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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