FDS3912
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| Numero parte | FDS3912 |
| PNEDA Part # | FDS3912 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.868 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDS3912 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDS3912 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDS3912 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 50V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V Potenza - Max 320mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 40V Potenza - Max 1.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Monolithic Power Systems Inc. Serie - Tipo FET 3 N-Channel, Common Gate Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -20°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 25V Potenza - Max 48W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
