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Transistor

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Disponibile
Quantità
SMUN5112T1G
SMUN5112T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile52.254
SMUN5113T1G
SMUN5113T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile153.126
SMUN5114T1G
SMUN5114T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile48.162
SMUN5114T3G
SMUN5114T3G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile3.168
SMUN5115T1G
SMUN5115T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS DUAL PNP SC70

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile2.142
SMUN5133T1G
SMUN5133T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile26.250
SMUN5211T1G
SMUN5211T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile657.858
SMUN5211T3G
SMUN5211T3G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile6.930
SMUN5212T1G
SMUN5212T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile75.972
SMUN5213T1G
SMUN5213T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile84.648
SMUN5214T1G
SMUN5214T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile2.538
SMUN5215T1G
SMUN5215T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile3.096
SMUN5232T1G
SMUN5232T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 230mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile7.308
SMUN5233T1G
SMUN5233T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 0.202W SOT-323

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile70.482
SMUN5235T1G
SMUN5235T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 202mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323)
Disponibile53.550
TDTA114Y,LM
TDTA114Y,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

X34 PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo di transistor: -
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): -
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): -
  • Resistenza - Base (R1): -
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile50.238
TDTC114E,LM
TDTC114E,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

X34 PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN

  • Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Tipo di transistor: -
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): -
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): -
  • Resistenza - Base (R1): -
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile25.866
UNR211000L
UNR211000L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile22.602
UNR211100L
UNR211100L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile2.322
UNR211200L
UNR211200L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile7.254
UNR211300L
UNR211300L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile54.486
UNR211400L
UNR211400L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 150MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile6.012
UNR211500L
UNR211500L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile2.844
UNR211600L
UNR211600L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile3.636
UNR211700L
UNR211700L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile6.606
UNR211800L
UNR211800L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 510 Ohms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 5.1 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile7.020
UNR211900L
UNR211900L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 1 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 150MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile5.562
UNR211D00L
UNR211D00L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 80MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile3.456
UNR211E00L
UNR211E00L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 150MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile115.386
UNR211F00L
UNR211F00L

Panasonic Electronic Components

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Produttore: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: 150MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1
Disponibile7.092