Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile2.592
RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile5.148
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile8.190
RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile7.074
RN2402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile2.286
RN2402S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile3.762
RN2403,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile5.670
RN2404,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 50V TO236-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile22.674
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile8.550
RN2405,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile4.608
RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR4.7KOHM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.596
RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile2.088
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINFINIT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.236
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile2.034
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile8.820
RN2416,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato PNP BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER10KOHM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.886
RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER10KOHM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.328
RN2421(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 50V TO236-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 1 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile5.580
RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile8.676
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR0.47KOHM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.208
RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR1KOHM Q1 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.406
RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile8.838
SDTA114YET1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75, SOT-416	Disponibile27.570
SDTC114EET1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75, SOT-416	Disponibile21.942
SDTC114YET1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75, SOT-416	Disponibile85.230
SDTC124EET1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75, SOT-416	Disponibile2.376
SDTC144EET1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75, SOT-416	Disponibile7.434
SMMUN2111LT1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 246mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile256.092
SMMUN2111LT3G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 246mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile7.902
SMMUN2113LT1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 246mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile78.594

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