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Transistor

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Disponibile
Quantità
NSBA123EDXV6T1
NSBA123EDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile6.192
NSBA123EDXV6T1G
NSBA123EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile2.808
NSBA123JDP6T5G
NSBA123JDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 408mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile4.806
NSBA123JDXV6T1
NSBA123JDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile7.416
NSBA123JDXV6T1G
NSBA123JDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile3.924
NSBA123JDXV6T5G
NSBA123JDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile2.016
NSBA123TDP6T5G
NSBA123TDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 408mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile5.436
NSBA124EDP6T5G
NSBA124EDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 408mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile7.884
NSBA124EDXV6T1
NSBA124EDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile8.694
NSBA124EDXV6T1G
NSBA124EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile2.142
NSBA124EDXV6T5G
NSBA124EDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile5.076
NSBA124XDXV6T1
NSBA124XDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile3.708
NSBA124XDXV6T1G
NSBA124XDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile8.712
NSBA143EDP6T5G
NSBA143EDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 408mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile4.878
NSBA143EDXV6T1
NSBA143EDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile6.804
NSBA143EDXV6T1G
NSBA143EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile6.750
NSBA143TDXV6T1
NSBA143TDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile6.858
NSBA143TDXV6T1G
NSBA143TDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile4.770
NSBA143TDXV6T5G
NSBA143TDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile3.330
NSBA143ZDP6T5G
NSBA143ZDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 408mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile7.578
NSBA143ZDXV6T1
NSBA143ZDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile7.884
NSBA143ZDXV6T1G
NSBA143ZDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile29.136
NSBA143ZDXV6T5G
NSBA143ZDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile8.262
NSBA144EDP6T5G
NSBA144EDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 408mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile2.178
NSBA144EDXV6T1G
NSBA144EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile2.808
NSBA144EDXV6T5
NSBA144EDXV6T5

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile3.744
NSBA144EDXV6T5G
NSBA144EDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: *
  • Tipo di transistor: -
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): -
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): -
  • Resistenza - Base (R1): -
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: -
  • Corrente - Taglio collettore (Max): -
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile7.992
NSBA144WDP6T5G
NSBA144WDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 408mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile8.424
NSBA144WDXV6T1G
NSBA144WDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile4.590
NSBC113EDXV6T1
NSBC113EDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 1kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 1kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile7.524