NSBA123EDXV6T1G
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| Numero parte | NSBA123EDXV6T1G |
| PNEDA Part # | NSBA123EDXV6T1G |
| Descrizione | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.808 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSBA123EDXV6T1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSBA123EDXV6T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
NSBA123EDXV6T1G, NSBA123EDXV6T1G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 104,77 KB)
  
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NSBA123EDXV6T1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 2.2kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
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