RN1961FE(TE85L,F)
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| Numero parte | RN1961FE(TE85L,F) |
| PNEDA Part # | RN1961FE-TE85L-F |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.496 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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RN1961FE(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RN1961FE(TE85L,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
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RN1961FE(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 4.7kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
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