Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BCR 148L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile3.762
BCR 148T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile4.086
BCR148WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile8.136
BCR148WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile3.472
BCR 148W H6433 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile3.582
BCR 149F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile4.482
BCR 149L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile3.546
BCR 149T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile7.398
BCR 151F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 100 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 100 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 120MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile7.434
BCR 151L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 100 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 100 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 120MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile7.614
BCR 151T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 100 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 100 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 120MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile7.758
BCR 153F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile7.524
BCR 153L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile7.326
BCR 153T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile8.838
BCR 158 B6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile3.888
BCR158E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile56.940
BCR 158F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile5.382
BCR 158L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile5.346
BCR 158T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile2.862
BCR158WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile3.006
BCR158WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile2.376
BCR 162 B6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile4.734
BCR162E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile4.788
BCR 162F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile8.910
BCR 162L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile6.696
BCR 162T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile7.578
BCR 164F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 160MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile7.344
BCR 164L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 160MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile6.804
BCR 164T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 160MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile7.668
BCR166B6327HTLA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 160MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile2.268

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