BCR162E6327HTSA1
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| Numero parte | BCR162E6327HTSA1 |
| PNEDA Part # | BCR162E6327HTSA1 |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.788 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 20 - feb 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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BCR162E6327HTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BCR162E6327HTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
BCR162E6327HTSA1, BCR162E6327HTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 811,21 KB)
  
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BCR162E6327HTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 4.7 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| Potenza - Max | 200mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 30mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore UMT3 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione 180MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-XFDFN Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006B-3 |
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