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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BDP949H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN 60V 3A SOT223 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V Potenza - Max: 5W Frequenza - Transizione: 100MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT223-4	Disponibile3.580
BDP950E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 3A SOT-223 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Potenza - Max: 5W Frequenza - Transizione: 100MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT223-4	Disponibile6.588
BDP950H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 60V 3A SOT223 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Potenza - Max: 5W Frequenza - Transizione: 100MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT223-4	Disponibile6.642
BDP953E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN 100V 3A SOT-223 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V Potenza - Max: 5W Frequenza - Transizione: 100MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT223-4	Disponibile8.622
BDP953H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN 100V 3A SOT223 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V Potenza - Max: 5W Frequenza - Transizione: 100MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT223-4	Disponibile7.470
BDP954E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 100V 3A SOT-223 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Potenza - Max: 5W Frequenza - Transizione: 100MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT223-4	Disponibile3.582
BDP954H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP 100V 3A SOT223 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Potenza - Max: 5W Frequenza - Transizione: 100MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT223-4	Disponibile4.428
BDT60B-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP DARL 100V 4A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Potenza - Max: 2W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile6.156
BDT60C-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP DARL 120V 4A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 120V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Potenza - Max: 2W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile8.478
BDT60-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP DARL 60V 4A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Potenza - Max: 2W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile6.246
BDT61A-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN DARL 80V 4A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Potenza - Max: 2W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile6.318
BDT61B-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN DARL 100V 4A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Potenza - Max: 2W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile3.960
BDT61C-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN DARL 120V 4A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 120V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Potenza - Max: 2W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile8.694
BDT61-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN DARL 60V 4A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 1.5A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Potenza - Max: 2W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220	Disponibile6.678
BDV64 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo POWER TRANSISTOR PNP TO218 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: 60MHz Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-218	Disponibile6.570
BDV64A Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo POWER TRANSISTOR PNP TO218 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: 60MHz Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-218	Disponibile5.778
BDV64A-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93 Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 2mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 3.5W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-93	Disponibile4.230
BDV64B Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo POWER TRANSISTOR PNP TO218 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: 60MHz Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-218	Disponibile7.326
BDV64B ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 1mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-93	Disponibile4.608
BDV64BG ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP DARL 100V 10A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 1mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile7.920
BDV64B-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP DARL 100V 12A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 2mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 3.5W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-93	Disponibile8.370
BDV64C-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP DARL 120V 12A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 120V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 2mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 3.5W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-93	Disponibile5.346
BDV64-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS PNP DARL 60V 12A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 2mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 3.5W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-93	Disponibile8.226
BDV65 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo POWER TRANSISTOR NPN TO218 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: 60MHz Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-218	Disponibile4.662
BDV65A Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo POWER TRANSISTOR NPN TO218 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: 60MHz Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-218	Disponibile2.304
BDV65A-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN DARL 80V 12A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 2mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 3.5W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-93	Disponibile5.040
BDV65B Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo POWER TRANSISTOR NPN TO218 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: 60MHz Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-218	Disponibile8.802
BDV65B ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 1mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-93	Disponibile4.482
BDV65BG ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN DARL 100V 10A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 1mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 125W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile7.452
BDV65B-S Bourns	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo TRANS NPN DARL 100V 12A Produttore: Bourns Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Corrente - Taglio collettore (Max): 2mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Potenza - Max: 3.5W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-218-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-93	Disponibile8.874

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