BDV65B
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| Numero parte | BDV65B |
| PNEDA Part # | BDV65B_105 |
| Descrizione | POWER TRANSISTOR NPN TO218 |
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.802 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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BDV65B Risorse
| Brand | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BDV65B |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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BDV65B Specifiche
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 12A |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 100V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
| Potenza - Max | 125W |
| Frequenza - Transizione | 60MHz |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-218-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-218 |
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Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 220V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V Potenza - Max 350mW Frequenza - Transizione 300MHz Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 |
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