Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 2077/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRGS4630DTRRPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 47A 206W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 47A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A Potenza - Max: 206W Switching Energy: 95µJ (on), 350µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 35nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/105ns Condizione di test: 400V, 18A, 22Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 100ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile7.380
IRGS4640DPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo DIODE 600V 40A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 75nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/104ns Condizione di test: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 89ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile6.768
IRGS4640DTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo DIODE 600V 40A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 75nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/104ns Condizione di test: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 89ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile7.362
IRGS4640DTRRPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo DIODE 600V 24A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 75nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/104ns Condizione di test: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 89ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile4.878
IRGS4715DPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V D2-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 21A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Potenza - Max: 100W Switching Energy: 200µJ (on), 90µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/100ns Condizione di test: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 86ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile6.354
IRGS4715DTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V D2-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 21A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Potenza - Max: 100W Switching Energy: 200µJ (on), 90µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/100ns Condizione di test: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 86ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile3.744
IRGS4715DTRRPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V D2-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 21A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Potenza - Max: 100W Switching Energy: 200µJ (on), 90µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/100ns Condizione di test: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 86ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile6.606
IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 11A 63W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 11A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Potenza - Max: 63W Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 12nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 22ns/100ns Condizione di test: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 93ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile5.958
IRGS4B60KD1TRLP Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 11A 63W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 11A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Potenza - Max: 63W Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 12nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 22ns/100ns Condizione di test: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 93ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile7.704
IRGS4B60KD1TRRP Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 11A 63W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 11A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Potenza - Max: 63W Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 12nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 22ns/100ns Condizione di test: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 93ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile3.204
IRGS4B60KPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V D2PAK-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Potenza - Max: 63W Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 12nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 22ns/100ns Condizione di test: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile4.212
IRGS6B60KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 13A 90W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 13A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Potenza - Max: 90W Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/215ns Condizione di test: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile6.912
IRGS6B60KDTRLP Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 13A 90W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 13A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Potenza - Max: 90W Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/215ns Condizione di test: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile2.304
IRGS6B60KDTRRP Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 13A 90W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 13A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Potenza - Max: 90W Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/215ns Condizione di test: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile2.376
IRGS6B60KPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 13A 90W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 13A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Potenza - Max: 90W Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/215ns Condizione di test: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile5.832
IRGS6B60KTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 13A 90W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 13A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Potenza - Max: 90W Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/215ns Condizione di test: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile3.564
IRGS8B60KPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 28A 167W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Potenza - Max: 167W Switching Energy: 160µJ (on), 160µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 29nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/140ns Condizione di test: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile3.492
IRGS8B60KTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 28A 167W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Potenza - Max: 167W Switching Energy: 160µJ (on), 160µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 29nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/140ns Condizione di test: 400V, 8A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile2.790
IRGSL10B60KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 22A 156W TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 22A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A Potenza - Max: 156W Switching Energy: 140µJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 38nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/230ns Condizione di test: 400V, 10A, 47Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 90ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262	Disponibile3.780
IRGSL14C40LPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 430V 20A 125W TO262AA Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 430V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A Potenza - Max: 125W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 27nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 900ns/6µs Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262	Disponibile5.238
IRGSL15B60KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 31A 208W TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 31A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Potenza - Max: 208W Switching Energy: 220µJ (on), 340µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 56nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 34ns/184ns Condizione di test: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 92ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3	Disponibile3.150
IRGSL30B60KPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 78A 370W TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A Potenza - Max: 370W Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 102nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 46ns/185ns Condizione di test: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262	Disponibile8.046
IRGSL4062DPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 48A 250W TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 48A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 50nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/104ns Condizione di test: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 89ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262	Disponibile6.804
IRGSL4640DPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo DIODE 600V 24A COPAK-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 75nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/104ns Condizione di test: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 89ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262	Disponibile7.236
IRGSL4B60KD1PBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 11A 63W TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 11A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Potenza - Max: 63W Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 12nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 22ns/100ns Condizione di test: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 93ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262	Disponibile7.452
IRGSL6B60KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 13A 90W TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 13A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Potenza - Max: 90W Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/215ns Condizione di test: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262	Disponibile4.698
IRGSL6B60KPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 13A 90W TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 13A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Potenza - Max: 90W Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 18.2nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/215ns Condizione di test: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262	Disponibile6.048
ISL9V2040D3S ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 430V 10A 130W TO252AA Produttore: ON Semiconductor Serie: EcoSPARK® Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 430V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Potenza - Max: 130W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 12nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/3.64µs Condizione di test: 300V, 1kOhm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA	Disponibile3.690
ISL9V2040D3ST ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 430V 10A 130W TO252AA Produttore: ON Semiconductor Serie: EcoSPARK® Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 430V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Potenza - Max: 130W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 12nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/3.64µs Condizione di test: 300V, 1kOhm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA	Disponibile2.484
ISL9V2040P3 ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 430V 10A 130W TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: EcoSPARK® Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 430V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Potenza - Max: 130W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 12nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/3.64µs Condizione di test: 300V, 1kOhm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3	Disponibile6.534

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