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ISL9V2040D3S

ISL9V2040D3S

Solo per riferimento

Numero parte ISL9V2040D3S
PNEDA Part # ISL9V2040D3S
Descrizione IGBT 430V 10A 130W TO252AA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.690
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL9V2040D3S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL9V2040D3S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
ISL9V2040D3S, ISL9V2040D3S Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 414,81 KB)
PDFISL9V2040S3S Datasheet Copertura
ISL9V2040S3S Datasheet Pagina 2 ISL9V2040S3S Datasheet Pagina 3 ISL9V2040S3S Datasheet Pagina 4 ISL9V2040S3S Datasheet Pagina 5 ISL9V2040S3S Datasheet Pagina 6 ISL9V2040S3S Datasheet Pagina 7 ISL9V2040S3S Datasheet Pagina 8 ISL9V2040S3S Datasheet Pagina 9 ISL9V2040S3S Datasheet Pagina 10

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ISL9V2040D3S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieEcoSPARK®
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)430V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 4V, 6A
Potenza - Max130W
Switching Energy-
Tipo di ingressoLogic
Gate Charge12nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-/3.64µs
Condizione di test300V, 1kOhm, 5V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

STGB3NC120HDT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

236µJ (on), 290µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

24nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/118ns

Condizione di test

800V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

51ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK

APT68GA60LD40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

121A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

202A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

520W

Switching Energy

715µJ (on), 607µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

198nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/133ns

Condizione di test

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 [L]

IRGB10B60KDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

22A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

Potenza - Max

156W

Switching Energy

140µJ (on), 250µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

38nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/230ns

Condizione di test

400V, 10A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

IRG4IBC30SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23.5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

47A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Potenza - Max

45W

Switching Energy

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/540ns

Condizione di test

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

280W

Switching Energy

1.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

190nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/110ns

Condizione di test

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

Venduto di recente

J201

J201

ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

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DHRB34C102M2FB

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CAP CER 1000PF 15KV RADIAL

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MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

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IM03GR

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WSL120600000ZEA9

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PTN3363BSMP

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