Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Pagina 1938/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ZVN4424GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile281.244
ZVN4424GTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 240V 0.5A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile7.704
ZVN4424ZTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89-3 Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile7.542
ZVN4525E6TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 72pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile231.162
ZVN4525E6TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 0.23A SOT23-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 72pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile2.898
ZVN4525GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 72pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile279.144
ZVN4525GTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 0.31A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 72pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile3.438
ZVN4525ZTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 72pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89-3 Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile265.278
ZVNL110A Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile61.248
ZVNL110ASTOA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile7.524
ZVNL110ASTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile7.200
ZVNL110ASTZ Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile35.586
ZVNL110GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile31.650
ZVNL110GTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile5.004
ZVNL120A Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile25.596
ZVNL120ASTOA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile5.616
ZVNL120ASTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile6.894
ZVNL120C Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile3.708
ZVNL120CSTOA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile4.608
ZVNL120CSTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile4.104
ZVNL120CSTZ Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile7.506
ZVNL120GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile26.646
ZVNL120GTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 85pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile8.532
ZVP0120AS Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile7.740
ZVP0120ASTOA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile4.338
ZVP0120ASTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile2.160
ZVP0120ASTZ Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile6.462
ZVP0545A Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile15.936
ZVP0545ASTOA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile8.712
ZVP0545ASTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile6.930

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