Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
ZVN4206GVTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile231.822
ZVN4206GVTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.318
ZVN4210A Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile23.370
ZVN4210ASTOA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile7.722
ZVN4210ASTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile6.930
ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile3.186
ZVN4210GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile18.510
ZVN4210GTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.030
ZVN4306A Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile30.792
ZVN4306ASTOA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile6.930
ZVN4306ASTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile2.592
ZVN4306ASTZ Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile3.564
ZVN4306AV Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile44.574
ZVN4306AVSTOA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile4.824
ZVN4306AVSTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile8.316
ZVN4306AVSTZ Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile7.722
ZVN4306GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile34.284
ZVN4306GTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile8.010
ZVN4306GVTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile29.502
ZVN4306GVTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile7.830
ZVN4310A Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile48.528
ZVN4310ASTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile6.930
ZVN4310ASTZ Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 850mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile2.988
ZVN4310GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.67A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile26.454
ZVN4310GTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.67A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile8.136
ZVN4424A Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile90.192
ZVN4424ASTOA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile7.560
ZVN4424ASTOB Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile2.100
ZVN4424ASTZ Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: E-Line (TO-92 compatible) Pacchetto / Custodia: E-Line-3	Disponibile3.042
ZVN4424GQTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT223 T Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile3.906

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