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Transistor

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RJK0301DPB-WS#J0
RJK0301DPB-WS#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (massimo): +16V, -12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 5-LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile3.888
RJK0305DPB-02#J0
RJK0305DPB-02#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): +16V, -12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile44.142
RJK0305DPB-WS#J0
RJK0305DPB-WS#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 30A 5-LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): +16V, -12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 5-LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile4.896
RJK0328DPB-01#J0
RJK0328DPB-01#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6380pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile4.068
RJK0330DPB-01#J0
RJK0330DPB-01#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile3.474
RJK0332DPB-01#J0
RJK0332DPB-01#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile2.790
RJK0346DPA-01#J0B
RJK0346DPA-01#J0B

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 65A WPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 65A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7650pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile3.744
RJK0349DSP-00#J0
RJK0349DSP-00#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Disponibile8.982
RJK0349DSP-01#J0
RJK0349DSP-01#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Disponibile4.572
RJK0353DPA-01#J0B
RJK0353DPA-01#J0B

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile6.642
RJK0353DPA-WS#J0B
RJK0353DPA-WS#J0B

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 40W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: WPAK(3F) (5x6)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile3.708
RJK0354DSP-00#J0
RJK0354DSP-00#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Disponibile20.268
RJK0355DSP-00#J0
RJK0355DSP-00#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Disponibile4.230
RJK0355DSP-01#J0
RJK0355DSP-01#J0

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Disponibile4.950
RJK0391DPA-00#J5A
RJK0391DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK (3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile8.046
RJK0393DPA-00#J5A
RJK0393DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3270pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile7.272
RJK03C1DPB-00#J5
RJK03C1DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 10V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile8.892
RJK03M1DPA-00#J5A
RJK03M1DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 50A WPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4720pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile4.014
RJK03M2DPA-00#J5A
RJK03M2DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK
  • Pacchetto / Custodia: 8-WFDFN Exposed Pad
Disponibile5.526
RJK03M3DPA-00#J5A
RJK03M3DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3010pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK
  • Pacchetto / Custodia: 8-WFDFN Exposed Pad
Disponibile3.924
RJK03M4DPA-00#J5A
RJK03M4DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2170pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK
  • Pacchetto / Custodia: 8-WFDFN Exposed Pad
Disponibile3.474
RJK03M5DNS-00#J5
RJK03M5DNS-00#J5

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 15W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HWSON (3.3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile4.446
RJK03M5DPA-00#J5A
RJK03M5DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 30A WPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WPAK
  • Pacchetto / Custodia: 8-WFDFN Exposed Pad
Disponibile3.562
RJK0451DPB-00#J5
RJK0451DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile9.613
RJK0452DPB-00#J5
RJK0452DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4030pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile5.544
RJK0454DPB-00#J5
RJK0454DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile6.498
RJK0455DPB-00#J5
RJK0455DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile4.032
RJK0456DPB-00#J5
RJK0456DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V LFPAK

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK
  • Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669
Disponibile5.148
RJK0601DPN-E0#T2
RJK0601DPN-E0#T2

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 110A TO220

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile7.614
RJK0602DPN-E0#T2
RJK0602DPN-E0#T2

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 100A TO220

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6450pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
  • Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Disponibile5.436