RJK0328DPB-01#J0
Solo per riferimento
| Numero parte | RJK0328DPB-01#J0 |
| PNEDA Part # | RJK0328DPB-01-J0 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.068 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
RJK0328DPB-01#J0 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | RJK0328DPB-01#J0 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RJK0328DPB-01#J0, RJK0328DPB-01#J0 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 89,47 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- RJK0328DPB-01#J0 Datasheet
- where to find RJK0328DPB-01#J0
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America RJK0328DPB-01#J0
- RJK0328DPB-01#J0 PDF Datasheet
- RJK0328DPB-01#J0 Stock
- RJK0328DPB-01#J0 Pinout
- Datasheet RJK0328DPB-01#J0
- RJK0328DPB-01#J0 Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- RJK0328DPB-01#J0 Price
- RJK0328DPB-01#J0 Distributor
RJK0328DPB-01#J0 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6380pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
| Pacchetto / Custodia | SC-100, SOT-669 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS220™ Pacchetto / Custodia ISOPLUS220™ |
Produttore IXYS Serie PolarHV™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 411pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (IXTA) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1790pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 75W (Tj) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Power56 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 5V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4901pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 203W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIII Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PW-MOLD Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
