Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
PMN48XP,125 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile8.190
PMN48XPAX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile3.276
PMN49EN,135 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile6.624
PMN49EN,165 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile4.392
PMN50EPEX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PMN50EPE/SOT457/SC-74 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile4.590
PMN50UPE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile2.862
PMN50XP,165 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile4.338
PMN52XPX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 763pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile29.694
PMN55ENEH Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PMN55ENE/SOT457/SC-74 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile47.430
PMN55ENEX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile4.698
PMN55LN,135 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile8.082
PMN70EPEX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 570mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile5.256
PMN70XPE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 602pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile3.258
PMN70XPEAX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 602pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile7.236
PMN70XPX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile5.616
PMN80XP,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 385mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457	Disponibile8.316
PMPB100ENEAX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile5.922
PMPB100ENEX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile8.370
PMPB100XPEAX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): +8V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 388pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN2020MD (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile2.538
PMPB10XNE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2175pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile6.984
PMPB10XNEAX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2.175nF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile8.280
PMPB10XNEZ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V SOT1220 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2175pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile95.628
PMPB11EN,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile140.760
PMPB12UN,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 886pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN2020MD (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile7.848
PMPB12UNEAX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1.22nF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile5.238
PMPB12UNEX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 470mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile29.712
PMPB13XNE,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2195pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile3.168
PMPB14XPX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PMPB14XP/SOT1220/SOT1220 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile192.906
PMPB15XN,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile3.618
PMPB15XP,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2875pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile28.266

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