PMPB12UN,115
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Numero parte | PMPB12UN,115 |
PNEDA Part # | PMPB12UN-115 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN |
Produttore | NXP |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.848 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMPB12UN Risorse
Brand | NXP |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | PMPB12UN,115 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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PMPB12UN Specifiche
Produttore | NXP USA Inc. |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.9A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN2020MD (2x2) |
Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
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