Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 150/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
TAN500 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 1.215GHZ 55ST Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 75V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 9dB Potenza - Max: 2500W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55ST Pacchetto dispositivo fornitore: 55ST	Disponibile4.680
TAN75A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55AZ Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB ~ 8.5dB Potenza - Max: 290W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 9A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AZ Pacchetto dispositivo fornitore: 55AZ	Disponibile7.542
TCS1200 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.03GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 10.2dBd Potenza - Max: 2095W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55TU-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55TU-1	Disponibile4.374
TCS800 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SM Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.03GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB ~ 9dB Potenza - Max: 1944W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Temperatura di esercizio: 230°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55SM Pacchetto dispositivo fornitore: 55SM	Disponibile5.490
TPR1000 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.09GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 6dB Potenza - Max: 2900W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55KV Pacchetto dispositivo fornitore: 55KV	Disponibile4.284
TPR1000A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 65V 1.09GHZ 55KV Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.09GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 6dB Potenza - Max: 2900W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Temperatura di esercizio: 200°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55KV Pacchetto dispositivo fornitore: 55KV	Disponibile5.274
TPR175 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: 1.03GHz ~ 1.09GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB ~ 9dB Potenza - Max: 290W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 9A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55CX Pacchetto dispositivo fornitore: 55CX	Disponibile5.292
TPR400 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: 1.03GHz ~ 1.09GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.27dB Potenza - Max: 875W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55CX Pacchetto dispositivo fornitore: 55CX	Disponibile8.532
TPR700 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.03GHz ~ 1.09GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 6.7dB Potenza - Max: 2050W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 55A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55KT Pacchetto dispositivo fornitore: 55KT	Disponibile2.862
UMIL10 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 100MHz ~ 400MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 10dB Potenza - Max: 28W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: 55FT Pacchetto dispositivo fornitore: 55FT	Disponibile8.226
UMIL100A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 31V 400MHZ 55JU Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 31V Frequenza - Transizione: 225MHz ~ 400MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.2dB ~ 8.5dB Potenza - Max: 270W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55JU Pacchetto dispositivo fornitore: 55JU	Disponibile6.678
UMIL25 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 33V 400MHZ 55HV Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 33V Frequenza - Transizione: 225MHz ~ 400MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.9db ~ 10dB Potenza - Max: 70W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55HV Pacchetto dispositivo fornitore: 55HV	Disponibile7.344
UMIL3 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 225MHz ~ 400MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 11.8db ~ 13dB Potenza - Max: 11W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 700mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: 55FT Pacchetto dispositivo fornitore: 55FT	Disponibile4.590
UMIL3B Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 30V 400MHZ 55FT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 225MHz ~ 400MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 13dB Potenza - Max: 11W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 700mA Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Stud Mount Pacchetto / Custodia: 55FT Pacchetto dispositivo fornitore: 55FT	Disponibile4.608
UMIL80 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 31V 500MHZ 55HV Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 31V Frequenza - Transizione: 200MHz ~ 500MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 9dB ~ 9.5dB Potenza - Max: 220W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55HV Pacchetto dispositivo fornitore: 55HV	Disponibile2.808
UPA800T-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz Guadagno: 7.5dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile6.444
UPA800T-T1 CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz Guadagno: - Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-SO	Disponibile2.502
UPA800T-T1-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz Guadagno: 7.5dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile4.968
UPA801T-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 4.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: - Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile4.302
UPA801T-T1-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 4.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 9dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile6.102
UPA802T-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile3.562
UPA802T-T1-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 65mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile5.814
UPA806T-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 6V Frequenza - Transizione: 12GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Guadagno: 8.5dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile6.948
UPA806T-T1 CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 6V Frequenza - Transizione: 12GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz Guadagno: - Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-SO	Disponibile4.842
UPA806T-T1-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 6V Frequenza - Transizione: 12GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Guadagno: 8.5dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile7.560
UPA810T-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 4.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 9dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile2.808
UPA810T-T1 CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 4.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz Guadagno: 7dB ~ 9dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-SO	Disponibile6.966
UPA810T-T1-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 4.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Guadagno: 9dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile4.752
UPA811T-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz Guadagno: 7.5dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile3.384
UPA811T-T1-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz Guadagno: 7.5dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile3.420

«
‹
1
...
147
148
149
150 (current)
151
152
153
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message