Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SD1433 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V M122 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 16V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB Potenza - Max: 58W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: M122 Pacchetto dispositivo fornitore: M122	Disponibile8.550
SD1444 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 512MHZ TO39 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 16V Frequenza - Transizione: 450MHz ~ 512MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB Potenza - Max: 5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39	Disponibile2.862
SD1446 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V M113 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 18V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 10dB Potenza - Max: 183W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 12A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: M113 Pacchetto dispositivo fornitore: M113	Disponibile7.056
SD1477 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V M111 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 18V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 6dB Potenza - Max: 270W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: M111 Pacchetto dispositivo fornitore: M111	Disponibile8.496
SD1488 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V M111 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 16V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 5.8dB Potenza - Max: 117W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 8A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: M111 Pacchetto dispositivo fornitore: M111	Disponibile7.002
SD1526-01 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 45V 1.215GHZ M115 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 45V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 9.5dB Potenza - Max: 21.9W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M115 Pacchetto dispositivo fornitore: M115	Disponibile7.308
SD1536-01 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.714
SD1536-03 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.4dB Potenza - Max: 292W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M115 Pacchetto dispositivo fornitore: M115	Disponibile4.770
SD1536-08 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.4dB Potenza - Max: 292W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M105 Pacchetto dispositivo fornitore: M105	Disponibile3.996
SD1726 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V M174 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 14dB Potenza - Max: 318W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: M174 Pacchetto dispositivo fornitore: M174	Disponibile7.146
SD1727 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V M164 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 14dB Potenza - Max: 233W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: M164 Pacchetto dispositivo fornitore: M164	Disponibile8.154
SD1728 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V M177 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 15dB ~ 17dB Potenza - Max: 330W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 23 @ 10A, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: M177 Pacchetto dispositivo fornitore: M177	Disponibile3.456
SD1731 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V M174 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 13dB Potenza - Max: 233W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: M174 Pacchetto dispositivo fornitore: M174	Disponibile2.178
SD1853-02H Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.928
SD8002-01H Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.502
SD8253-02H Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.556
SD8268-21H Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.388
SMMBTH10-4LT3G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 25V Frequenza - Transizione: 800MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 225mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)	Disponibile2.106
SRF4427 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 1.3GHZ 8SO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 18V Frequenza - Transizione: 1.3GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 17dB ~ 18dB Potenza - Max: 1.5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.528
SS9018FBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 54 @ 1mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.600
SS9018GBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 72 @ 1mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile55.386
SS9018HBU ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 97 @ 1mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile22.800
START405TR STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V SOT343 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 4.5V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Guadagno: 19dB Potenza - Max: 45mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 4V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-82A, SOT-343 Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.538
START499D STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V SOT89 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 4.5V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 13dB ~ 14dB Potenza - Max: 1.7W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 160mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89	Disponibile5.904
START499ETR STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 1.9GHZ SOT343 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 4.5V Frequenza - Transizione: 1.9GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz Guadagno: 15dB Potenza - Max: 600mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 160mA, 4V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-82A, SOT-343 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-343	Disponibile3.580
TAN15 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55LT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB ~ 8dB Potenza - Max: 175W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55LT Pacchetto dispositivo fornitore: 55LT	Disponibile4.698
TAN150 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB Potenza - Max: 583W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AT Pacchetto dispositivo fornitore: 55AT	Disponibile7.272
TAN250A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 60V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 6.2db ~ 7dB Potenza - Max: 575W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AW Pacchetto dispositivo fornitore: 55AW	Disponibile3.526
TAN300 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 6.6dB Potenza - Max: 1166W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55KT Pacchetto dispositivo fornitore: 55KT	Disponibile8.532
TAN350 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 960MHz ~ 1.215GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB ~ 7.5dB Potenza - Max: 1450W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Temperatura di esercizio: 230°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55ST Pacchetto dispositivo fornitore: 55ST	Disponibile6.066

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