Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IXFD14N100-8X IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 1000V DIE Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile8.784
IXFD15N100-8X IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: IXYS Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.668
IXFD23N60Q-72 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V DIE Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile2.754
IXFD24N50Q-72 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: IXYS Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.736
IXFD26N50Q-72 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 500V DIE Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile5.004
IXFD26N60Q-8XQ IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: IXYS Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.164
IXFD28N50Q-72 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: IXYS Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.632
IXFD40N30Q-72 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 300V DIE Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile7.470
IXFD80N10Q-8XQ IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 100V DIE Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile7.506
IXFD80N20Q-8XQ IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 200V DIE Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile5.022
IXFE180N10 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 176A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.202
IXFE180N20 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 158A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.028
IXFE23N100 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.862
IXFE24N100 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile3.006
IXFE34N100 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 580W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.120
IXFE36N100 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 580W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.490
IXFE39N90 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 580W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.676
IXFE44N50Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.624
IXFE44N50QD2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.106
IXFE44N50QD3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.520
IXFE44N60 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.974
IXFE48N50Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.346
IXFE48N50QD2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.838
IXFE48N50QD3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.698
IXFE50N50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.596
IXFE55N50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.680
IXFE73N30Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 36.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.104
IXFE80N50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 72A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9890pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 580W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile3.418
IXFF24N100 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS i4-PAC™ Pacchetto / Custodia: i4-Pac™-5 (3 Leads)	Disponibile3.150
IXFG55N50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISO264™ Pacchetto / Custodia: ISO264™	Disponibile3.168

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