Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IXFA7N100P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (IXFA) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.652
IXFA7N60P3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 705pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (IXFA) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.660
IXFA7N80P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (IXFA) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.120
IXFA80N25X3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5430pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 390W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AA Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.874
IXFA8N50P3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 705pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (IXFA) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.192
IXFA8N85XHV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 850V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263HV Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.232
IXFA90N20X3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5420pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 390W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AA Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.092
IXFB100N50P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1890W (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile8.658
IXFB100N50Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1560W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile7.704
IXFB110N60P3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile8.028
IXFB120N50P2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile5.112
IXFB132N50P3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 132A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile6.372
IXFB150N65X2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1560W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile4.824
IXFB170N30P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO-264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile4.320
IXFB210N20P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 210A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile6.876
IXFB210N30P3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 210A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile5.526
IXFB300N10P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile7.002
IXFB30N120P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 22500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile4.914
IXFB30N120Q2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS264™ Pacchetto / Custodia: ISOPLUS264™	Disponibile2.412
IXFB38N100Q2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile8.190
IXFB40N110P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile2.898
IXFB40N110Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1560W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile7.920
IXFB44N100P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile3.312
IXFB44N100Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1560W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile2.844
IXFB50N80Q2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile6.210
IXFB52N90P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO-264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile4.194
IXFB60N80P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile7.956
IXFB62N80Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1560W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile7.002
IXFB70N100X IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET 1KV 70A ULTRA JCT PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9160pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1785W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile2.610
IXFB70N60Q2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS264™ Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile44

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