Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRFH5106TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3090pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.556
IRFH5106TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3090pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.078
IRFH5110TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 63A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3152pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.582
IRFH5110TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 63A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3152pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.328
IRFH5204TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 22A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2460pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-VQFN Exposed Pad	Disponibile3.598
IRFH5204TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 22A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2460pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-VQFN Exposed Pad	Disponibile2.484
IRFH5206TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 89A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2490pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.498
IRFH5206TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 89A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2490pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.464
IRFH5207TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 71A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2474pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.420
IRFH5207TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 71A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2474pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.050
IRFH5210TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.228
IRFH5210TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile86.922
IRFH5215TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-VQFN Exposed Pad	Disponibile3.798
IRFH5215TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 5A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-VQFN Exposed Pad	Disponibile8.964
IRFH5220TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-VQFN Exposed Pad	Disponibile4.770
IRFH5220TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-VQFN Exposed Pad	Disponibile2.538
IRFH5250DTR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6115pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.070
IRFH5250DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6115pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.796
IRFH5250TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 45A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7174pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.316
IRFH5250TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 45A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7174pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile34.656
IRFH5255TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 988pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.208
IRFH5255TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 988pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.136
IRFH5300TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Single Die Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.140
IRFH5300TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile35.730
IRFH5301TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5114pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Single Die Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.688
IRFH5301TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5114pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Single Die Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.274
IRFH5302DTR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3635pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Single Die Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.130
IRFH5302DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3635pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Single Die Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.434
IRFH5302TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Single Die Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.554
IRFH5302TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Single Die Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.208

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